４．結論謝辞参考文献いて、AlO中間層を介したガラス接合は、以前のサファイア接合と同様の接合メカニズムを持つと推定される。定である。接合界面の光学特性を評価するために、接合したガラス基板の透過率と反射率を測定した。透過率は、接合したガラス基板を通る透過光を検出して測定される。反射率は、接合界面によって反射される光を検出して測定される。SiおよびAlO中間層の結果が図７に示されている。参考として、接合せずに重ねた2枚のガラス基板間の界面の透過率も測定した。さらに、AlO層を使用した接合の反射率も、接合界面で増加しない。比較として、Si層を使用した接合では、波長が400 nmの場合、反射率が最大で約38％増加する。これらの結果から、AlO中間層を使用した新規接合手法は、光学的に透明な接合界面を実現し、一方でSi中間層はガラス基板の光学特性を劣化させると言える。図７a) AlO中間層およびSi中間層を使用して接合した2つのガラス基板の間の接合界面の透過率およびb) 反射率測定。Si中間層を用いたガラスのSABと比較して、AlO中間層を用いたSABの特徴の一つはFeの分布である。AlO中間層を用いた接合界面では、中間層間の界面でFeが局所的に分布していないことが示されている。一方、本研究および以前の研究の両方で、Si中間層を用いたSABでは接合界面でのFeのわずかな拡散により強い接合が得られている。AlO層を用いたSABの場合、Fe原子の接合強度への影響は明確ではなく、今後の研究でさらに調査する予Si中間層を使用した接合界面では、波長200–1600 nmで透過率の著しい劣化が観察される。一方、AlO中間層を使用した接合界面では、接合しないガラス接合界面とほぼ同じ透過率が示さる。AlO層と接合しないガラス接合界面の場合、表面反射のために透過率が100％ではない。本研究では、室温でガラス基板を接合するためにAlO中間層を使用したSABを開発した。イオンビームによって堆積されたAlO中間層を介して活性化されたガラス基板は、1.32 J m−2の接合強度で接合された。AlO層の接合界面は、透過率や反射率などの優れた光学特性を示した。XPSおよびSTEM-EDX分析により、接合メカニズムがサファイア接合の標準的なSABと類似しており、接合界面が非晶質および酸素欠損の中間層から成ることが示された。開発した接合手法によりは、室温で透明な接合界面を持つガラス接合が可能となる。本研究は公益財団法人天田財団の助成を受け行いました。感謝します。1)■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■■■■■■■ ■■ ■■■ ■■■■2)■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff■■■■■■■ ■■■■ ■■■■■ ■■■■3)■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■■■■■■■■■ ■■■■■■ ■■■− 411 −
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