ルの結果を示す。層1は堆積されたAlO層に対応しており、Si中間層を用いた接合界面と同様にArの分布が見られる。しかし、中間層間の界面にFeの高い強度は見られません。これは、Arイオンビーム活性化によって誘導されたFe原子がAlO中間層全体に均一に分布していることを意味する。一方、層2、3、および4は、元のガラス表面およびSi中間層を用いた接合ガラス表面とほぼ同じ元素の分布を示す。層2は元のガラスの層1（図４）に対応し、層3は元のガラスの層2に対応し、層4は元のガラスの層3に対応する。したがって、表面活性化プロセスによって元のガラス表面の組成が影響を受けていないと考えられる。図５a) Si中間層を使用した接合界面の明視野STEM画像、およびb) 高角度アナヌラーダークフィールド画像。c) (b)の矢印に沿ったEDXラインプロファイル。図６a) AlO中間層を使用した接合界面の明視野STEM画像、およびb) 高角度アナヌラーダークフィールド画像。c) (b)の矢印に沿ったEDXラインプロファイル。AlO中間層を用いた接合メカニズムを議論するために、以前の研究で報告されたサファイアのSABに注目する必要がある。サファイア基板は、Ar高速原子爆撃照射によって表面が活性化される標準的なSABプロセスによって成功裏に接合されたと報告されている。これらの報告は、サファイア基板がアモルファス状の中間層を介して接合されたことを示しています。これらの報告は、活性化され不安定なアモルファスAlO層がウェハ全面で十分な接合を形成できることを示す。さらに、上述したように、Arイオン爆撃によってα-Al2O3表面からOが優先的にスパッタリングされることが報告されており、これはSABプロセスでも同様に起こると考えられる。本研究のXPS分析は、Arイオン爆撃によって活性化されたO欠乏の接合界面を持つAlO中間層を用いたガラス接合を示唆する。サファイアのSABとガラスのAlO中間層を用いたSABの類似した特性に基づ− 410 −
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