■■図２高温サンプルの相対反射率測定概略図2・2純銅の積層造形原料粉末には，純度99.99％のガスアトマイズ製純銅粉末を用いた．図３に原料粉末のSEM像を示す．粒度は正規分布で，粒径の中心値26µm，標準偏差12µmである．図３純銅粉末のSEM像次に，開発した青色半導体レーザを搭載した粉末床溶融結合装置を図４に示す．本装置は図４（a）に示すようにレーザ発振器および伝送光学系，制御盤，造形チャンバーで構成されている．図４(b)に装置概略図を示す．レーザは波長450nm，最大出力200Wの青色半導体レーザを用いた．出射したレーザは，伝送光学系を用いて3軸制御型ガルバノミラーに導光し表1に示す条件で，造形チャンバー内の造形ステージに掃引照射する．このときレーザスポット径はFWHMで250µmに調整した．原料粉末である純銅粉末をパウダーフィーダーに入れ，パウダーベッドを積層ピッチ分下降させ，図４(a)に示すように純銅粉末をリコータで均し，任意の厚さの粉末をパウダーベッドに敷き均す(図４(b))．この状態でレーザを照射する８～１２）．レーザの掃引方法は，リニアラスタースキャン方式を採用し，1層の造形を行う．これを繰り返し行って，試験サンプルの造形を行った１１，１２）．ハッチング距離は，リニアラスタースキャンの隣り合うレーザの間隔と定義し，このハッチング距離をパラメータに造形した．レーザ照射中の粉末の酸化を防ぐためシールドガスとしてArガスをフローした．また，造形体サンプルはレーザ掃引方向に対して垂直方向に切断し，断面観察により断面充填率の測定を行った．図４青色半導体レーザを用いた粉末床溶融結合装置の概略図（a）装置外観，(b)実験概略図■■■■■■■■■■■■■ff■■■■■■■µ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■µ■■Hatch rotation angle [°]■■■■■■■■■■■■■■■■■µ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■表1実験条件■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■■ ■■ ■■ ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ − 305 −
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