)2P/1P( oitar noitartnecnoCmota( noitartnecnoC)1021mc1020/s101910181017101610150131234431Protective C filmDiamond100 nm20225 nm-10225 nm-1022022P1P1/P2P20.10.3Depth from surface (m)0.21021010-10.4■・ ■■および■■注入■■注入で見られた，レーザ改質部の導入がイオン取り込みを促進する効果が，■型化イオンにおいても認められるのかを検証するため，■■イオンおよび■■イオンについても同様の実験を行った．室温でイオン注入を行うとアモルファス化が容易に起こることは■■での実験から明らかだったので，■■および■■については，600℃注入のみを行った．図６には■■イオンを600℃注入した試料において，結晶深さ方向に沿ったイオン濃度を■■■■測定した結果を示す．イオンの重さを反映して，ピーク位置が■■よりも浅くなっている．レーザ照射部（■■）におけるイオン濃度が非照射部（■ ）に比べて高くなっていることは，■■の場合（図３）と同様である．非照射領域のイオン濃度を基準として，レーザ照射領域のイオン濃度が何倍程度になっているかを示すため，図６には■■■■ の値もプロットしている．■■の濃度曲線において深さ■■■■付近に傾きが緩くなっている箇所が存在しているため，■■■■ は単調増加傾向を示さず，■～■の範囲に収まっていた．図６■■イオン（■■■℃注入）の試料深さ方向分布図７には■■イオンを600℃注入した試料において，結晶深さ方向に沿ったイオン濃度を■■■■測定した結果を示す．表面付近において濃度が高くなっているのは，ダイヤモンド表面に吸着した■ 分子によるものと考えられる．ピーク位置は■■■■■付近であり，■■（ピーク位置■■■ ■）と■■（ピーク位置■■■■■）の中間の値であった．この傾向はイオン質量の順番と一致している．レーザ照射部（■■）では深さ■■ ■■付近から，非照射部（■ ）では深さ■■ ■付近からイオン濃度がほぼ一定になる原因は，ダイヤモンド基板に元々，窒素が含まれていた（■■■■以下）ためである．レーザ照射部（■■）におけるイオン濃度が非照射部（■ ）に比べて高くなっていることは，■■の場合や■■の場合と同様である．非照射領域のイオン濃度を基準として，レーザ照射領域のイオン濃度が何倍程度になっているかを示すため，図７には■■■■ の値もプロットしている．深さ■■ ■以降においては，■ の値が元来，ダイヤモンド基板に含まれていた窒素量になったため，見かけ上，急減しているが，その深さに至るまでは単調増加傾向にあることは明らかであり，最大値は■■程度に達している．ージを低下させるため■薄膜（図中では■■■■■■■■■■■■■■■■■）を蒸着しているが，ダイヤモンドとの境界（三角印）は明瞭である．×印で示した■カ所について■■■パターンを取得した．全ての■■■パターンにおいてダイヤモンド単結晶からの■つの■ 斑点が認められ，結晶性が保たれていることが分かる．図４■■イオン（■■■℃注入）試料レーザ照射部の断面■■■明視野像および■■■パターン今回の報告書では詳細を省略するが，ダイヤモンド表面にフェムト秒レーザ照射した後，室温で■■イオン注入した試料においてはアモルファス化が起こっていた．■■■パターンの一例を図５に示す．パターン中心付近にアモルファス特有のハロ（■■■■）が現れている．図５アモルファス化した領域の■■■パターンの典型例（■■イオン室温注入試料）− 302 −
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