のNi-Kα線分析結果を示す．CB添加量0，0.1 g/Lでは針状の析出物が，1.0 g/Lでは表面粗さは悪いものの，平坦な形状のNi析出物が見られた．Niは，主に凸部に存在した．Fig. 7に，各CB添加量における基板裏面の温度分布を示す．CB 0 g/Lでは，レーザ照射直後から温度分布はほぼ変わらないが，CB添加量が増すにつれて，温度分布が一定になるまでに時間がかかることがわかる．Fig. 8に，各CB添加量における断面プロファイルとEDS被膜が見られた．各デフォーカス量におけるNi-P析出物の断面プロファイルを測定したところ，デフォーカス距離-1.2 mmでは，ほぼ平坦なNi被膜がみられた．焦点距離では，中心部に平均的に厚みがあり，結晶成長を伴ったと考えられるNi-P析出物が形成された．正のデフォーカスさせた状態では，中央が凹み，クレーター形状となった．このように，CBを添加しないめっき液を用いた場合には，レーザスポットのエネルギー分布が反映したNi析出形態になることがわかった．■■ カーボンブラック（■■）添加の影響Fig. 6に，CB添加量とギャップ長による基板裏面の最高温度の時間変化を示す．CB添加量の増加に伴い最高温度は低下する．めっき液中のレーザ伝搬長を規定するギャップ長1mmと3mmを比較すると，3 mmの最高温度が低い．これは，めっき液に添加したCBがレーザ光を吸収することで，基板に当たるエネルギーが低下したためであると考えられる．CB 0 g/Lでは，レーザ照射直後が最も基板温度が高くなる．一方，CB添加量が多くなると，レーザ照射後にゆっくりと基板温度が増加し，一定になる．これはNi析出物内にCBが取り込まれ，基板のレーザの吸収率が上がったためと考えられる．Fig. 9に，CB添加量に対するNi析出物の組成の変化および直径の変化を示す．CB添加量の増加に伴い，C，Feは増加し，Niは低下する．一方，Ni析出物の直径は増加する．以上より，CBの添加により，基板へのレーザ吸収率が減少し，基板温度が低下することから，Ni析出速度が低下し，めっき液中のCBによりレーザが散乱し，レーザ照射部が広がり，温度分布が緩やかになり，比較的平坦なNi析出物が形成されたと考えられる．(a) 0 g/L ■■■■ (a) 0 g/L ■■■■ (b) 0.1 g/L ■■■■■■ (c)1.0 g/LFig.8Ni distribution and height of Ni deposits (b) 0.1 g/L■■■■■■ (c)1.0 g/LFig.7CB amountdependenceof backside temperature distribution of Fe substrates− 298 −Fig.6Max temperature of substrates backside by laser irradiation
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