３．結果と考察存型擬ポテンシャルの代替として、■■■法■■（■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■）を使うことができる。 ・ 製膜の概要製膜には■■■■■■の■倍波ff ■■■■■をレーザー光源ff■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■としたパルスレーザー蒸着ff■■■■法を用いた。光源のオシレータの繰り返し周波数は■■■■であるが、■■■に十分なレーザー強度を得るた表１：レーザー蒸着条件雰囲気ガスレーザー波長繰り返し周波数エネルギー密度ターゲット基板間距離基板基板温度成膜時間■光源は■■■■の繰り返し周波数であるが、■■■■■■■は ■■で同期している■■。酸素窒素二酸化炭素表２■構造最適化後の結果まとめめに、■スイッチを ■■で同期する■■■■■■■■■■■■■■法■■を用いている。表１に基本的な製膜条件を示している。製膜後には、炭素材料に対してはラマン分光による構造欠陥、原子間力顕微鏡ff■■■■による表面形態観察を行った。酸化物薄膜に対しては■線回折による結晶性と結晶配向性の評価を行っている。■・■グラフェンに最適な基板の選択スーパーセル構築のため、炭素クラスターとして、ff■■炭素原子、ff ■六員環とff■■ナノグラフェンff■■六員環■を準備したff図２■。これらの炭素クラスターをシリコンff■■■、酸化マグネシウムff■■■■、サファイアff■■ ■■■とチタン酸ストロンチウムff■■■■■■■基板上に配置してスーパーセルとした。吸着エネルギーは、炭素クラスター、基板、スーパーセルのそれぞれの全エネルギーから以下のように見積もった。■■Eads=Esub+Ecluster－Esupercellここで、Eadsが吸着エネルギーであり、Esub,Ecluster,Esupercellはそれぞれ、基板単体、炭素クラスター、スーパーセルの全エネルギーである。構造最適化後のシミュレーション結果を表２にまとめた。-7321022.51-89556972.78-23131793.52-9719043-9719043-9719042-91955384-91955384-25530067-25530069-148278045570570569950960823825553− 266 −■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff■■ff±■■■■■■■■■■■■ff■■■■■■■■■■■■■■ff■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■■■■■■■■■■■■■■ffff■■■■■■■
元のページ ../index.html#268