■■■■■■■６．結論■謝■辞■参考文献■図１１■■■■■℃での■■■処理により得られた■■添加■■ ■■の蛍光スペクトルの■■濃度依存性■なお，励起用半導体レーザの発振波長は■■■サファイアの吸収ピーク■ ■■■■■■）からずれており，一方でブロードな蛍光を示す■■■■イオンは吸収帯域もブロードである．このため励起光のエネルギーの大部分は異相の励起に費され，励起光成分のごく一部しか■■■■添加■■ ■■中の■■■■イオンを励起できないと考えられる．従って，図８～図１１に示されたブロードな蛍光成分は実際の蛍光量より強調されたものである可能性がある．■これらのことから，図９の試料においては■■■■の大部分はサファイアに固溶できており，ブロードな蛍光成分を示す異相の生成量は非常に少ないと期待される．■■■■・■■ブロードな蛍光成分の抑制見込みについて■励起波長を■ ■■■■に近づければ蛍光スペクトルにおけるブロードな蛍光成分は低減できる．しかしながらこれは本質的な解決策ではなく，まずはブロードな蛍光を発する異相の生成を抑制する必要がある．■具体的な異相の生成状況について，図１２に■■■■℃での■■■処理により得られた■■■■添加■■ ■■の■■■元素マッピングを示す．■■■■イオンについては組織全体に均一に分布しており，図４で示されたような分布量のムラは見られなかった．しかし，■，■■，■■などを主成分とする異相が局所的に分布しており，これがブロードな蛍光の放射源となっていると考えられる．これらの不純物は原料粉末由来ではなく，プロセス機器（具体的には篩）を他実験と共用したことにより混入されたものである．■この結果から，プロセス中の不純物混入を防止することにより，ブロードな蛍光を発しない理想的な■■■■添加■■ ■■粉末が合成できると考えられる．■サファイア■■■■サイトにおける希土類■■■■置換について■図１２■■■■■℃での■■■処理により得られた■■添ff■■ ■■■■℃より低温で焼成処理する■ff ■ 熱間等方圧プレスを利用する■ff■■ ■■ ■■原料粉末の一次粒子径を小さくする■ff■■ プロセスにおける不純物混入を防止する■が有効であることが示された■■）．■この手法で■■添加■■ ■■粉末を合成し，これを原料粉末として■■■サファイアセラミックレーザを製造することにより，レーザプロセッシングの適用分野と市場を拡大できると期待される．■■■■計測は文部科学省「マテリアル先端リサーチインフラ」事業（課題番号■■■■■■■ ■■■■■■ ）の支援を受け自然科学研究機構分子科学研究所で実施された．試料作製には理化学研究所の松田美帆氏に協力いただいた．■■） ■■■■■■■■■■■■■■■：■■■■■■■■■■ff ■■■■■■■■■■ ） ■■■■■■■■■■■■■■■■■：■■■■■ ■ ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■ ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff ■ ■■■■■■■■■■■■） ■■■■■■■■■■■■■■■■■：■■■■■■■■ ■ ■■■■■■■ ■ ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff ■ ■■■■■■■■■■■■■■■■■■） ■■■■■■■■■■■■■■■：■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff ■■■■■■ ■■■■■） 浜野健也他：窯業協会誌■■■■■■■ff■■■■■■■■■■■■） ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■：■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff ■■■■■■■■■■） ■■■■■■■■■■■■■■：■■■■■■■■■■■■■ff ■■■■■■■■■ ■■■） ■■■■■■■■■■■■：■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff ■■■■ ■■■■■■） ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■：■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■■■ff ■■■■■■■■■■■■■■■■） ■■■■■■■■■■■■■■■■■：■■■■■■■■■■■■■■■■ff ■■■■■■■■■■■■■■） 佐藤庸一■■平等拓範：第■■回応用物理学会春季学術講演会ff ■ ■■■ ■■■■■■■■■■■加■■ ■■の■■■元素マッピング■− 234 −
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