図11 伸縮性トランジスタの構造図 図12 DPP4T-oSi10の化学構造図 図9 伸縮性PEDOT:PSSの高解像度パターニング。 図10 微細化した伸縮性PEDOT:PSSの伸長性。 ３■２■伸縮性トランジスタ特性■■図13に出力特性を示す。トランジスタとして良好な特性を得ることに成功した。電解効果移動度は0.09 cm2/Vsと、非伸縮性材料で構成した高分子半導体トランジスタよりも若干低い値になったが、絶縁膜と半導体の界面などを 検討することで今後改善できると考える。 ４．伸縮性透明タッチセンサアレイ■４■１■製造プロセス■さらに今回開発した伸縮性PEDOT:PSSの特性を最大限に活用できる応用として、伸縮性透明タッチセンサを作製した。まず、レーザーアブレーションでパターニングを行った伸縮性PEDOT:PSSを成膜した。さらに転写プロセスにより絶縁膜として厚み4 µmのSEBSを電極上に成膜し、その上に再度レーザーでパターニングした伸縮性PEDOT:PSSを成膜した。 表■■■パターナブル伸縮性導電性高分子の先行研究群との比較。■− 424 −
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