■図■■■■■■■ミリ秒パルスレーザー照射後の、■■（左）と■■（右）の■■で装飾された市販■■■ 粉末の■■■画像。初期材料として、和光ケミカルズの■■■ を使用した。目盛りは■■■■■■■■を示す。■ 比較のために、図■に、より小さな■■■ 粒子（■ ■）も同様の実験手順で■■ナノ粒子で装飾できたことを示す。このように、開発した手法は普遍的であり、様々な■■■ 粉末に適用できるため、全く異なる金装飾■■■ ナノ材料が得られることが示された。明らかに、サイズ、形態、相組成、および金装飾の程度が異なる■■■ ナノ材料は、異なる特性を示す。■図■■■■■■■ミリ秒パルスレーザー照射後、■■の■■で装飾された市販の■■■ 粉末の■■■画像。初期材料としてデグサ社製■ ■を使用した。スケールは ■■■■■を示す。■ ■■■■■■と■■のナノ粒子で装飾された■■■ ■ff■■■■■■■■■ ■の場合■■■■ 粒子を 種類の貴金属で装飾することは、技術的に難しいため、あまり知られていない。しかし、 種類の金属ナノ粒子で装飾された■■■ は、より広い範囲で支持体■■■ 粒子の特性を制御・改善することができる可能性がある。ここでは、概念実証として、液体中でのレーザー加工により、 種類の貴金属で装飾された■■■ ナノ粒子を得ることができることを実証した。■■ここでは、■■と■■の塩を選択し、■■■■■■■■■ 装飾粒子を作製することで実証します。図■は、 種類の塩（■■■■■■■と■ ■■■■■、■■と■■）を用いて製造した小さな■■ナノ粒子と大きな■■ナノ粒子で覆われた■■■ 支持粒子の■■■画像である。生成した■■■■■■■■■ 粒子は、非常に小さな■■ナノ粒子が■■■ 粒子上に均一に分布し、より大きな■■ナノ粒子は表面密度が低くなっている。また、■■と■■による■■■ 同時装飾の予備的な結果も得られている（ここでは示していない）。今後、このようなナノ粒子の特性（光触媒やガスセンサーなど）を調べるとともに、粒子径や分布をどのように制御するかを検討する計画である。■このように、液相でのレーザー加工は、いくつかの貴金属のナノ粒子で装飾された■■■ を調製する有望な方法であることが示された。■図■■■■レーザー照射により製造した■■■ ナノ粒子を■■ナノ粒子（小さい方）と■■ナノ粒子（大きい方）で装飾した場合の■■■画像。■■ ■■■■ハイブリッド■■■ ■■■■の作製■■■■半導体ナノ材料のハイブリッドは、改良された特性を示すことが知られている。そこで、最もポピュラーな半導体材料である■■■ と■■■のハイブリッドナノ材料の作製を試みた。これは、■■と■■の金属板を水中でアブレーションすることで実現した■■■■■■。■図■は、■■■■■■■■■■■■■のミリ秒パルス■■■レーザーを用いて、異なる条件で作製した つの■■■ ■■■■ハイブリッドナノ材料である。■■■画像では、■■■ロッドと■■■ 球状ナノ粒子が密着しており、このような接合部での電荷分離に重要であると考えられる■■■■■■。■以下では、このようなナノ材料の室温でのガスセンシングを実証する■■■■。■■■図■■■ミリ秒パルスレーザーを用いて異なる条件で作製した■■■ ■■■■ハイブリッドナノ材料の■■■画像。■− 284 −
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