天田財団_助成研究成果報告書2023＿2

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“■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■− 276 −参考文献 謝■辞■ク抑制や試料破壊といった課題に対して、定量的な評価手法を提供できるものと期待される。 ３．結論 ■本研究では、■■■■における測定温度の超高精度化、光干渉波形解析シミュレーション技術の高精度化、■■■■に基づく残留応力モデルの構築の３点に重点を置いて実験・解析をおこなった。結果として、ミリ秒時間の温度計測で±　■■以下の精度で温度を求められることが明らかになった。またOICTを三次元イメージングに拡張することで、10 mの空間分解能と100 sの時間分解能を同時に達成しつつ、三次元温度分布を得られることが実証できた。この技術は超急速熱処理時の試料温度測定に加え、半導体デバイス動作時の自己発熱温度測定にも適用可能であることが明らかになった。更にOICTを応力解析に適用するためのモデル構築をおこない、OICTが超急速熱処理中の試料表面における応力測定に適用可能であることを明らかにした。 ■本研究の実施にあたり実験、解析等に尽力してくれた研究室の学生諸君に感謝いたします。■1) ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■“■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■”■■■■■■■■■■■■■■■■■■　■■ff　■■■■　■■■ff　■　■■■　■■■■　■■■■2) ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■“■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff■■■■■■”■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff　■　■■■■■■■■■■■3) ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff■■■■■■”■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■　■■ff　■　■■■■■■■■■■■■■4) ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■“■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■”■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff　■　　■■■　■■■　■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■