レーザプロセッシング− 56 −キーワード連絡先メールアドレス［応用分野］量子科学技術研究開発機構 関西光科学研究所 主任研究員AF-2019234-C2奨励研究助成（若手研究者枠）レーザ加工SiCセラミックス，レーザアブレーション，ナノ周期構造miyasaka.yasuhiro@qst.go.jp宮坂 泰弘シリコンカーバイド（SiC）セラミックスは高い剛性や熱伝導率、耐摩耗性、耐熱性などを有しており、摺動部品や耐熱部品、ガラスレンズ成型部品など工業的に幅広く用いられている。一方で、硬度が極めて高く加工に多くの時間と費用を要することから機械加工が困難な難加工材として知られており、レーザ加工による高効率な加工に期待されている。しかし、レーザ加工に関する学術的な報告はSiC結晶に関する物が大半を占めており、SiCセラミックスに関しては極めて報告が少ない。本研究では、化学気相成長（CVD: Chemical vapor deposition）SiCセラミックスと焼結SiCセラミックスに対してそれぞれパルスレーザを集光照射し、ダメージ閾値フルーエンスとアブレーション率のレーザフルーエンス依存性を明らかにした。これにより、低フルーエンスにおけるCVD-SiCセラミックスと焼結SiCセラミックスの加工特性の違いが示された。難加工材SiCセラミックスのレーザアブレーションとレーザ加工に関する研究
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