■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■謝■辞■を行った場合，残留オーステナイトのマルテンサイト変態量は水素吸蔵しないで引張試験した場合と比較して少なかった．試験温度低下による引張強さの上昇，一様伸びの低下は残留オーステナイトの安定性低下によるマルテンサイト変態の促進によりき裂発生，進展が促進されたためと考えられた．また，水素吸蔵による一様伸びの低下は，残留オーステナイトのマルテンサイト変態時のマルテンサイト近傍でのき裂発生，進展が促進されたことに起因したと考えられた． 本国際会議の参加に対し，ご支援いただきました公益財団法人天田財団に深く感謝いたします．■図■■受付に設置された■■■ ■のポスター■図 ■国際会議会場からの景色■図■■クリスティアーノ・ロナウド像■− 452 −
元のページ ../index.html#454