いただいた．断面微細組織観察では，あいち産業科学技術総合センター・共同研究支援部にご協力いただいた． ■） ■■■■■■■■■・■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff ■■■■■■■■–■■■■ ） ■■■■■■■■■・■■■■■■■■■・■■■■■■■■・■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff ■ ■■■■ ■■■■■■■） ■■■■■■■■■・■■■■■■■■■・■■■■■■■■・■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■■ff ■ ■■■■■■■–■■ ■■■） ■■■■■■■■■・■■■■■■■■■・■■■■■■■■・■■■■■■・■■■■■■■■■■・■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■■ff ■■■■■■■ ■■–■ ■■■■■） ■■■■■■■■■・■■■■■■■■■■・■■■■■■■■■■■■■■・■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■–■■■ff■■■■■■■■■■-■■■■■■） ■■■■■■■■■■■■・■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff■■■ ■■■■■■–■■ ■■■ ■■参考文献 謝■辞■を対象とした微細描画の要素技術を構築した．当該装置を用いて線状成膜を試み，線幅が約50 μmで厚さ約2 μmの結晶質SiCの線状被膜の形成に成功した． (II) 上記2つの要素技術を組み合わせることで，TEMAZ原料を用いた集光レーザー走査型CVDによるZrCNの線状成膜を行い，コーン状の表面組織のZrCN線状被膜が形成されることを明らかにした．亀裂の抑制や構造・組成の詳細な分析，機械的・電気的特性を明らかにする必要はあるが，本研究により集光レーザー照射・走査によるジルコニウム炭窒化物の描画・パターニングの基盤技術を構築できたものと考える．これにより今後の高付加価値セラミックスの微細描画・パターニング技術の発展が期待できる． 本研究のCVD原料の特性評価やXPS測定には名古屋大学未来材料・システム研究所の原田勝可客員教授にご協力 ■− 415 −
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