助成研究成果報告書Vol.35
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■■4.結言 参考文献 謝■辞■本研究では,電気化学測定によりスルファミン酸ニッケルと硫酸銅を混合させた■■■■■合金浴の電析挙動を調査し,さらに,浴中のスルファミン酸ニッケル濃度および電流密度を変化させたときのめっき膜形状が■■■■■■■■■■の接合性に与える影響を評価した.浴中のスルファミン酸ニッケルと硫酸銅の濃度比を■■■:■■(■■■),電位を■■■■■■にしたとき,三次元構造体を有する■■■■■めっき膜が生成されることがわかった.また,■■■■■めっき膜が付与された■■■■■■板と■■■板を加熱加圧によって接合すると,■■■内部にはボイドが形成された.浴中のスルファミン酸ニッケルと硫酸銅の濃度比■■■:■■(■■■),電流密度■■■■■■■■ の条件で生成された■■■■■めっき膜を用いて接合した■■■■■■■■■■せん断引張試験片の平均接合強度は■■■■■■であり,今回実施した条件の中で最も高い強度を示した.■「特殊構造めっき膜を用いた新規接合技術の開発」に対して研究費を助成して頂いた天田財団には心よりお礼申し上げます.特殊構造めっき膜の生成メカニズムを明らかにするためには本研究費がなければ成し遂げられませんでした.一方で,特殊構造めっき膜を用いた低温接合については接合強度が実用性に至っていないため,今後も引き続き研究を進めて参ります. ■■ ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■■ff ■■■■■■■■■–■■■■■ ■ ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff ■ ■■■■■■■■■■■■■■ ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff ■■■■■■■ ■–■■■■■■■ ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■■■ff ■■■■■■ ■■– ■■■■■■ ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■ff ■■■■■■■■■■–■■■■■■■■ ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff ■ ■■■■■■■■–■■■■■■■■ ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■■■ff ■■■■■■■■ –■■■■■■■ ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■ff ■■■■■■■■–■■■■− 355 −

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