)aPMioJ( htgnerts tn50376265154373262151■・■■■■■■■■■■■接合強度評価結果図■に引張せん断試験で得られた■■■■■■■■■■の接合強度の評価結果を示す■■．左右のグラフは，それぞれ電流密度■■■■■■■ ，■■■■■■■■ の条件で生成した特殊構造めっき膜を用いたときの接合強度を示している．図より，全ての条件において平均接合強度が■■■■■以上を示した．この接合強度は，エポキシ系接着剤で接合した場合とほぼ同等である■）．また，■■■■■■■■ においては，浴中のスルファミン酸ニッケル濃度が高いほど接合強度は高い傾向を示した．さらに，■■■■■■■■ で生成した特殊構造めっき膜を有する引張せん断試験片の接合強度は，■■■■■■■■■ で生成したものよりも高い傾向にあった．特に，浴組成■■■■，■■■■■■■■ で作製された試験片は，得られた平均接合強度が■■■■■■■であり，今回実施した条件の中で最も高い強度を示した．図■に引張せん断試験後の試験片断面の光学顕微鏡像を示す．ff■■は電流密度■■■■■■■ ■■，ff■■は■■■■■■■■ である．全ての条件において，■■■板側でめっき膜である樹状構造体の一部が観察された．また，■■■■■■板側では，■■■残渣と樹状構造体の根元部が観察された．したがって，これらの破壊モードは，■■■およびめっき膜（樹状構造体）の混合破壊である．図■に各条件における試験片の破断経路の模式図を示す．ff■■より，スルファミン酸ニッケルと硫酸銅の濃度比■■■：■■（■■■），電流密度■■■■■■■ では，試験片は樹状構造体，■■■，ボイドを伝って破断する．このとき，形成された樹状構造体は細く破断しやすいため，接合強度は低い．一方，ff■■より，スルファミン酸ニッケルと硫酸銅の濃度比■■■～■■■：■■（■■■），電流密度■■■■■■■ では，ff■■と同様に混合破壊であるが，樹状構造体は太いため，破断しにくく接合強度は高い．ff■■より，スルファミン酸ニッケルと硫酸銅の濃度比■■■～■■■：■■（■■■），電流密度■■■■■■■■ では，低背な樹状構造体，■■■，ボイドを伝って破断するが接合強度は低い．断面模式図ff■■濃度比■■■■■■電流密度■■■■■■■■ 図■各条件における破断経路の模式図ff■■■■■–■■■■■■■■■■■■■ − 354 −図■■■■■■■■■■■の接合強度測定結果■■ff■■電流密度■■■■■■■ ■■ff■■電流密度■■■■■■■■ 図■引張せん断試験片の破断面観察結果ff■■■■■–■■■■■■■■■■■■■■■ No.2520151010 mA/cm2100 mA/cm2N = 5
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