■■■■■■■■■■■■ ff■■電流密度■■■■■■■■ ■の核が板上に生成される．その後，板近傍では■■の生成により■■イオンが枯渇し，■■イオンはバルク溶液から最短拡散距離である■■結晶核上部で還元される．これにより，高さ方向にめっきが成長していく．一方■■は，浴中の■■イオンは豊富に存在するために板全面に生成し，また，横方向への■■の成長を抑制する．これらの現象によって，めっき膜に三次元構造体が形成される．以上より，スルファミン酸ニッケルと硫酸銅を混合させた■■■■■合金浴において，高負電位を印加することで三次元構造体を有するめっき膜が生成されることがわかった．■ ■・ ■■■■■■■■上の特殊構造めっき膜の観察結果■■■図■に■■■■■■板上に生成した■■■■■めっき膜の表面および断面■■■像を示す．ここで，ff■■は電流密度■■■■■■■■ （電位換算で約■■■■■■■），ff■■は■■■■■■■■■ （約■■■■■■）である．図より，全ての条件で樹状の三次元構造体が形成されていた．また，ff■■より，浴組成■■■■■や■■■■■といったスルファミン酸ニッケル濃度が高い■■■■■合金浴では樹状構造体の幹枝部が太く形成されることを確認した．ff■■より，■■■■■■ではff■■と同じ樹状構造体が生成されていた．しかしながら，■■■■■と■■■■■では，背低な樹状構造体が形成されていた．これは，高電流密度による■■生■■■■表面断面ff■■電流密度■■■■■■■■ ■■■■表面断面図■■特殊構造めっき膜の表面および断面■■■像■■■めめっっきき膜膜めめっっきき膜膜■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■成速度の上昇により，板全面が■■めっきに覆われ，樹状構造体の高さ方向の生成が阻害されたためと考える．表■■に，図■■の各断面■■■像に示した点■～■における■■および■■■の組成の定量分析結果を示す．図■■ff■■の■■■■■■■より，樹状構造体の先端部に示す点■■■の■■■■と■■■■の組成はそれぞれ■■■■■と■■■■■■であった．また，樹状構造体の根元部に示す点■の■■と■■の組成は，それぞれ■■■■■と ■■■であった．これより，樹状構造体の先端部では■■の組成が高く，根元部では■■の組成が高いことがわかった．これは上述の通り，■■は高さ方向に，■■は板全面に生成したことが要因と考える．図■ff■■において，浴中のスルファミン酸ニッケル濃度が高くなるにつれて，先端部の■■組成が高くなることを確認した．また，図■ff■■では，めっき膜全体において■■組成が高い傾向を示した．これは，電流密度が増加することで■■の生成速度が増加し，樹状構造体と板全面に■■めっきが生成されたからである．■図■に特殊構造めっき膜を介して接合した■■■■■■■■■■の接合界面の断面■■■像を示す．図より，全ての条件で樹状構造体が■■■に覆われていることを確認した．一方，■■■内部では，樹状構造体直上に■■〜200μmサイズのボイドが形成されていた．このボイドは，接合時の加熱による樹脂の熱分解が要因と考える■■．■■■■断面■■■断面■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■− 353 −■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■■■■■■■■■■■■■■■■ボボイイドドボボイイドドボボイイドドボボイイドド表■■定量分析結果■■■■ff■■電流密度■■■■■■■■■ ■図■■■■■■■■■■■■接合界面の断面■■■像■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■■■■■■ボボイイドドボボイイドド10 µm10 µm10 µm10 µm10 µm10 µm ff■■電流密度■■■■■■■■■ ■
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