■ ■■■■■)■■■■( i2mc/Am00.0■■■■■■■■■■図■■引張せん断試験片の形状および寸法ff単位■■■■ 表 ■■■■■■■■■■■接合用■■■■■合金浴組成■組成■■ff■■ ■■■■ ·4H ■■■■■■·5H ■■■■■■■■■■■■■■■S·2H ■次に，特殊構造めっき膜が付与された■■■■■■板をホットプレート上で ■■℃に加熱し，その上に■■■板を載せて荷重をかけることで接合を行った．接合条件は，荷重を■■■■■■■接合時間を■■■■■とした．図■に引張せん断試験片の形状および寸法を示す．試験片作製後，万能材料試験機を用いて，■■■■■■■■に基づいて引張せん断試験を実施した．引張速度は■■■■■■■■■，試験温度は室温とした．また，試験数を■条件あたり■■本とした．引張せん断試験後，光学顕微鏡を用いて■■■■■■板および■■■板の破断面を観察し破断位置を推定した．■ ３．実験結果 ■・■■電気化学測定結果■図 に電気化学測定によって得られた各浴組成における■■■曲線を示す■■グラフの横軸は電位，縦軸は電流密度である．浴組成■■■■■の硫酸銅浴について，■■■から負電位が大きくなるにつれて電流密度が増加し，■■■■■■以降では緩やかな増加で推移した．これは，浴中に含まれる■■イオン濃度が低く拡散限界が生じたからである．■■■■ のスルファミン酸ニッケル浴について，■■イオンの還元開始点は約■■■■■■であり，それ以降の電位で電流密度は急激に増加した．これより，■■の生成は電荷移動によって制御されていることがわかる．■■■■■のスルファミン酸ニッケル濃度■■■■■■■の■■■■■合金浴では，■■■■■■■でピークが見られるが，これは■■ ■が金属■■に還元されたことに相当する■）．また，■■■■■めっき膜は■■■■■■以降の電位で形成され，負電位の上昇に伴い■■の生成速度が増加した．■■■■■のスルファミン酸ニッケル濃度■■■■■■■の■■■■■合金浴では，■■■■■と同様に■■■■■■以降の電位で電流密度が急激に上昇しているが，傾きは■■■■■の方が大きい．したがって，■■■■■■以降では，■■■■■は■■■■■より■■の生成速度が大きいことが考えられる．■図■に浴組成■■■■■の■■■■■合金浴における電位■■■■■■，■■■■■■で生成しためっき膜の表面および断面■■■像を示す．これより，電位■■■■■■では平滑なめっき膜が，■■■■■■では樹状の三次元構造体を持つめっき膜が生成することを確認した．このことから，特殊構造めっき膜の形成は，電位に依存していることがわかる．■■■■■合金浴で三次元構造体が形成されるメカニズムは以下の通りである．■■の電極電位は■■よりも貴であるため，通電初期は■■結晶■濃度■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■■ ■■ ■■■■■■■■■■接接合合領領域域■■■■■■■■■■図 ■浴組成■■■■～■における■■■曲線■図■■めっき膜の表面および断面■■■像■電位■■■■■■めめっっきき膜膜■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■No. 4 No. 3 No. 2 No. 1 表面10 µm断面-160-120-80-40-0.5U (V vs. Ag/AgCl)-1.0-1.5− 352 −10 µm
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