5m5m(a)SPS450℃(b)SPS500℃(c)SPS550℃(d)SPS600℃(a)HE350℃(b)HE400℃(c)HE450℃(d)HE500℃図６■SPS試料の反射電子像図７に押出し試料の平行断面（押出し方向は上下方向）の反射電子像を示す。SPS試料と比較して緻密な組織であることがわかる。押出し温度の上昇とともに黒色の領域が大きくなっており、押出し温度450℃、500℃の試料では押出し方向である上下方向に平行に組織が伸張していることが観察された。図７押出し試料の反射電子像図８にSPS試料および押出し試料の結晶粒径を示す。SPS試料では焼結温度とともに粒成長が見られるが、500℃以上では急激に粒径が増大した。一方押出し試料では500℃までの範囲では粒成長は見らなかった。図８SPS試料および押出し試料の結晶粒径図９にSPS試料の垂直断面および押出し試料の平行断面のゼーベック係数の温度依存性を示す。ゼーベック係数はSPS試料、押出し試料ともに室温から約300℃まで緩やかに上昇し、その後下降した。また、SPS焼結温度および押出し温度の違いは、低温で作製したものほど高い値を示したが、高温ではその差異は減少し、最高測定温度の500℃ではどの材料もほぼ同じ値に収束した。図１０にSPS試料の垂直断面および押出し試料の平行断面の電気抵抗率の温度依存性を示す。どちらの試料も室温の抵抗率は高く、150℃くらいまで減少しその後300℃くらいまで上昇したのち、低下した。SPS試料では、焼結温度による違いはほとんど見られなかった。押出し試料で図９ゼーベック係数の温度依存性図１０電気抵抗率の温度依存性(a) SPS試料(b) 押出し試料(a) SPS試料(b) 押出し試料(a)(c)(a)(c)(b)(d)(b)(d)(a)(b)(a)(b)− 203 −
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