図9は，SKH51基材に対してTiN粉末を成膜した時の膜表面の組織である．ガス流量を20 L/min（図9(a)）および41 L/min（図9(b)）とした時の表面組織は，ガス流量の違いによらず，いずれの表面においてもTiN粒子がつぶれたような膜組織が形成された．また，図10は基材をSKH51とし，TiN粉末を用いてガス流量を20 L/min（図10(a)）および41 L/min（図10(b)）として成膜した時の断面組織である．Al2O3と同様に一部にボイドが見られるものの緻密な膜が形成され，膜と基材との界面には凹凸が形成され■・ 成膜試料の膜組織Mo基材に対してAl2O3粉末を成膜した時の膜表面の組織を図7に示す．ガス流量を8L/min（図7(a)）および20L/min（図7(b)）とした時の表面組織は，ガス流量の違いによらず粒子が扁平状につぶれた様な膜が形成されていた．図8は基材をMoとしガス流量を15L/minとした時の試料の断面組織である．若干のボイドは見られるもののおおむね緻密な膜が形成されていることが分かる．また，成膜前は基材表面が平滑であったが，成膜後には若干の凹凸が見られ，粒子の衝突により生じたことがうかがえる．ていた．しかしながら，その凹凸の度合いはガス流量の増加にかかわらず，おおむね一定であった．さらに，形成したいずれの膜においてもXRD測定により結晶質な膜であることを確認した．− 192 −
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