助成研究成果報告書Vol.34

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レーザプロセッシング− 41 −キーワード連絡先メールアドレス［応用分野］ファインセラミックスセンター 材料技術研究所 上級研究員AF-2018241-C2奨励研究助成（若手研究者）セラミックスコーティングレーザー，炭化ケイ素，コーティングs_suehiro@jfcc.or.jp末廣 智レーザーを用いたSiC反応焼結機構の解明と新規コーティング技術への応用炭化ケイ素 (SiC)は、高強度かつ耐熱性・耐酸化性に優れた構造セラミックスであり、航空機エンジンやガスタービンなどへの高温構造材料として用いられている。従来、SiCコーティングの作製には、CVDやPLDなどの気相プロセスが用いられてきた。これらの手法では高品質なSiCを成膜することが可能であるが、成膜速度が遅いことが課題である。本研究では、レーザー昇華堆積法により、SiとCからのSiCコーティング手法を開発した。レーザー出力の増加にともない基材上の表面微構造は微粒子-針状晶-板状晶へと変化が見られた。そしてPL =1.2 kW/cm2における成膜速度は約30 nm/minであった。一方で、PAr= 10-1 Paの真空下で得られた膜は、仕込み組成比に比べてSi-ricであった。PL =1.2 kW/cm2, PAr= 104 Pa条件下で成膜した試料の結晶相を評価したころ配向した３C-SiCであった。