レーザプロセッシングレーザプロセッシング− 38 −キーワードキーワード連絡先メールアドレス連絡先メールアドレスキーワードキーワード連絡先メールアドレス連絡先メールアドレス［応用分野］［応用分野］大阪大学 大学院工学研究科 応用化学専攻 准教授［応用分野］［応用分野］琉球大学 工学部工学科 電子情報通信コース 助教AF-2018234-C2奨励研究助成（若手研究者）AF-2018236-C2奨励研究助成（若手研究者）不均一系触媒液中レーザーアブレーション，Fe-Sクラスター，配位性有機分子yakiyama@chem.eng.osaka-u.ac.jpディスプレイ，システムオンパネル薄膜トランジスタ，フレキシブル基板，レーザアニールtokada@tec.u-ryukyu.ac.jp燒山 佑美岡田 竜弥液中レーザーアブレーションを利用した原始的酵素様物質の発生フレキシブル基板上poly-Si TFT作製に関する研究本研究では，パイライトをターゲットとした液中レーザーアブレーションよる酵素様物質の合成を目指し，まずアブレーションにかかる溶媒依存性について，界面活性剤水溶液や種々の有機溶媒を用いて検討を行った．その結果、ほとんどの溶媒系ではヘマタイトナノ粒子のみを与えたのに対し，アセトン中では，minor productとして鉄硫黄ナノ粒子が生成することを見出した．そこでさらにアブレーション条件下で共存する分子の配位特性が、鉄硫黄ナノ粒子の安定性に対し、どのように影響するかを明らかにするため，低分子ペプチドを含む種々の配位性有機分子存在下での水溶液中でのアブレーション実験を行った．その結果，含硫黄有機分子中でのみ，鉄錯体の混合物を与えることを確認し，その生成量がpHの変化に応じて変化する事を見いだした．フレキシブル基板上poly-Si TFT作製に向けて、青色半導体レーザ、エキシマレーザを用いたポリイミド(PI)基板上Si膜の結晶化、および金属ソース/ドレイン構造TFTの評価を行なった。熱遮断層に加えて熱拡散層としてTiを導入することでPI基板表面温度を下げられることが示唆されたが、今回青色半導体レーザを用いて検討した条件ではTFTプロセスまで回せる結晶化には成功しなかった。エキシマレーザにより作製したSi膜により金属ソース/ドレイン構造TFTを作製した結果、ソース領域パターニング後に一旦200℃ 60 minの4% H2アニールを施したうえでポストアニールを追加することで、移動度220 cm2/Vsが得られた。TFT特性のさらなる向上に向けて、閾値電圧やリーク電流の低減について検討が必要である。
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