1） K. Takahashi, H. Kobayashi, Y. Yamada, A. Ibi, H. Fukushima, M. konishi, S. Miyata, Y. Shiohara, T. Kato, and T. Hirayama: Supercond. Sci. Technol. 19 (2006) 924-929. 2） O. Castano, A. Cavallaro, A. Palau, J. C. Gonzalez, M. 3） V. F. Solovyov, D. Abraimov, D. Miller, Q. Li, and H. 4） Y. Shiohara, K. Nakaoka, T. Izumi, and T. Kato: J. Japan Inst. 4．結論 謝 辞 参考文献 本研究では、表面レーザー加熱中のREBCO薄膜成長装置を既存の成膜装置に組み込むことで、REBCO薄膜のc軸配向膜厚の増加および臨界電流Icの向上を目的として、市販REBCO線材の3-4倍の膜厚の8 µmまでの成膜を行った。以下に得られた知見を示す。Cold wall 法を用いて作製した線材は、3 μm において a 軸配向粒混在率が 60%以上であった。これは、膜厚の増加とともに表面温度が低下したためだと考えられる。次に、表面レーザー加熱法を用い、加熱レーザーの出力を固定して作製した線材は、5 μmに おいても a 軸配向粒混在率が 20%以下であり、膜厚を厚くすることでIcが向上することが確認された。表面レーザー加熱法を用い、加熱レーザーの出力を変化させて作製した線材は、8 μmにおいてもa軸配向粒混在率が 15%以下であり、最大で 1,500 A/cm-width 以上の高いIcを得た。本研究で開発した表面レーザー加熱法を用いた 本研究は、天田財団、JSPS科研費(19K22154, 20K15217, 20H02682) 、名大-産総研アライアンス事業からの助成を受けて実施したものである。また、本研究では、株式会社フジクラ飯島康裕様より金属テープに関して御協力を得た。 70 Kにおいて、1 T以上の磁場にて膜厚1 µmの薄膜より高いIcを示した。65 K、70 Kにおいては、低磁場では膜厚8 µmの方が膜厚5 µmの薄膜よりIcが高いのに対し、強磁場では逆転した。具体的には、65 Kでは9 T、70 Kでは6 Tで逆転した。この結果から、応用される超伝導機器の使用環境によって適切な膜厚を選択することが重要であることが明らかになった。 REBCO薄膜におけるIcの向上は、電動飛行機や医療用MRIへの応用が期待されている高温超伝導線材の特性を飛躍的に向上する手段として期待される。 Rossell, T. Puig, F. Sandiumenge, N. Mestres, S. Pinol, A. Pomar, and X. Obradors: Supercond. Sci. Technol. 16 (2003) 45-53. Wiesmann: J. Appl. Phys. 105 (2009) 113927. Met. Matter. 80 (2016) 406-419. − 280 −
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