図10 プレH2アニール有/無それぞれのポストH2アニール後の移動度 1） K. Sugihara, K. Shimoda, T. Okada, and T. 2） T. Noguchi, and T. Okada, J. Inf. Display 19, されたが、今回青色半導体レーザを用いて検討した条件ではTFTプロセスまで回せる結晶化には成功しなかった。エキシマレーザにより作製したSi膜により金属ソース/ドレイン構造TFTを作製した結果、ソース領域パターニング後に一旦200℃ 60 minの4% H2アニールを施したうえでポストアニールを追加することで、移動度220 cm2/Vsが得られた。TFT特性のさらなる向上に向けて、閾値電圧やリーク電流の低減について検討が必要である。 本研究は公益財団法人天田財団奨励研究助成(若手研究者)(AF-2018236-C2)を受け実施された。また、ポリイミド基板に関して東洋紡(株)奥山哲雄様、ELAに関してギガフォトン(株)野田勘治様、諏訪輝様に感謝いたします。 Noguchi, J. Inf. Display 18, (2017) 173. (2018) 159. 謝 辞 参考文献 ４．結論 フレキシブル基板上poly-Si TFT作製に向けて、青色半導体レーザ、エキシマレーザを用いたポリイミド(PI)基板上Si膜の結晶化、および金属ソース/ドレイン構造TFTの評価を行った。熱遮断層に加えて熱拡散層としてTiを導入することでPI基板表面温度を下げられることが示唆 − 270 −
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