Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices and Applications, John Wiley & Sons Singapore Pte. Ltd., (2014). 8) 高橋清(監修)，長谷川文夫，吉川明彦(編著), ワイドギャップ半導体 光・電子デバイス, 森北出版, (2006). 9) 赤﨑勇(編著), Ⅲ族窒化物半導体, 培風館, (1999). 10) L. Liu and J. H. Edgar, Mater. Sci. and Eng. R, 37, 61 (2002). 11) F. A. Ponce, B. S. Krusor, J. S. Major Jr., W. E. Plano, and D. F. Welch, Appl. Phys. Lett., 67, 410 (1995). 12) 宮川鈴衣奈，第90回レーザ加工学会講演会 (2018). 13) 松浦英徳，宮川鈴衣奈，江龍修，第66回応用物理学会春季学術講演会，9a-W631-3 (2019). 14) M. Zamfirescu, M. Ulmeanu, F. Jipa, O. Cretu, A. Moldovan, G. Epurescu, M. Dinescu, and R. Dabu, J. Laser Micro/Nanoeng., 4, 7 (2009). 15) R. Miyagawa, Y. Ohno, M. Deura, I. Yonenaga, and O. Eryu, Jpn. J. Appl. Phys., 57, 025602 (2018). 16) S. Sakabe, M. Hashida, S. Tokita, S. Namba, and K. Okamuro, Phys. Rev. B, 79, 033409 (2009). 17) T. J.-Y. Derrien, T. E. Itina, R. Torres, T. Sarnet, and M. Sentis, J. Appl. Phys., 114, 083104 (2013). 18) W. Zhang, G. Cheng, Q. Feng, and L. Cao, Appl. Surf. Sci., 258, 9452 (2012). 19) J. Bonse, J. Kruger, S. Hohn, and A. rosenfeld, J. Laser Appl., 24, 042006 (2012). − 418 −
元のページ ../index.html#420