上昇とともに増加する．中心部の最高温度は，レーザ出力2.2W, 3.0W, 3.7Wでそれぞれ約120, 170, 210℃である．2.2Wでは，Ni析出がごくわずかであることから，Ni析出温度のしきい値は，おおよそ170℃以上（レーザ出力3.0W）であると考えられる．これは，温度分布と析出物分布から考察した温度域とほぼ一致する． Fig. 5 レーザ出力3.7 WのNi 析出物の断面曲線3) Fig. 6 レーザ照射部付近の温度分布(ロッドなし) Fig. 7に，レーザプレーティング（ロッドなし）を行ったときのNi析出量とレーザ出力および基板の最高温度の関係を示す．Ni析出量は，レーザ出力および基板温度のNi析出時の基板温度が約160～200℃であるとすると， PVCの融点に近い温度まで基板温度が上昇していることになる．Fig. 4のレーザ照射部のSEM像より，PVCの一部は変形しているものの，変形したPVC基板上にNiが析出している．このようにNi析出が可能な理由としては，PVC が溶けきる前にNiが析出し， PVCを保護していることが考えられる． Fig. 7 レーザ出力ごとの照射時間300秒のNi 含有量(ロッドなし)3) Fig. 8 レーザ出力3.7Wにおけるデフォーカス量に対する温度変化 3-2 めっき液中のレーザ伝搬長の影響 Fig. 8に，各伝搬長におけるデフォーカス量に対する温度変化を示す．焦点における最高温度は，伝搬長が短くなるほど上昇し，レーザ出力3.7W，伝搬長1 mmで218℃に達した．波長980nmのレーザ光が無電解ニッケルめっき液を10mm伝搬するときに，約50%程度減衰することから，伝搬長が短いほど温度が上昇することになる． 各伝搬長において，5mmほどデフォーカスすると，10%ほど最高温度が低下する．伝搬長2 mm以下であれば，5mmほどデフォーカスしても，基板温度は約190℃であり，Ni析出が可能だといえる． 伝搬長がほぼ同じ条件において，ロッドなしに比べて，ロッドありで基板温度の低下が見られた．ロッドなし伝搬長3～5mmの条件とロッドあり伝搬長１mmの条件で，基板温度はほぼ同等であった．20mmの石英ロッドでの減衰は4%と見積もられ，それほど大きな減衰ではないこ− 343 −
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