) .ytivitcelfeR) .u.a ( Ru.a (R10 10 10 10 図９ 共振器長5mのライン構造とメッシュ構造の 1.20.80.60.40.27007508008506501.20.80.60.40.27007508008501.20.80.60.40.270075080085090095010001050110011501200Wave Number ( cm‐1)950900Wave Number (cm‐1)10001050110011501200abl5μmlinew=2um, p=3um lineabl5μmmeshw=2um, p=3um mesaabl= 2umw=2abl= 2.5umw=2.5abl= 3umw=3abl= 3.5umw=3.5abl= 4umw=4abl= 4.5umw=4.5abl= 5umw=5p=3 w=3p=3 w=4p=3 w=5p=3 w=6p=3 w=79009501000105011001150120012500.80.60.40.2700 800 900 1000 1100 1200Wavenumber [cm‐1]謝 辞 れた。 共振器の反射スペクトル 図１０ 共振器長2m～5mのライン構造共振器の 反射スペクトル 図１１ 共振器長3～7mのライン構造共振器の反射 スペクトルの計算結果 ５．結論 図１１にFDTDシミュレーションによる共振器長3～7mのライン構造共振器に対する反射スペクトルの計算結果を示す。共振器長の変化にともなう系統的なディップのシフトや高次モードの出現が再現されている。 図１２にGeSbTeがアモルファス相の場合と結晶の場合の反射スペクトルを測定する。まずアモルファス相での測定を行い、結晶化を施した後、同一の共振器に対して測定を行った。図５のシミュレーションで予想された通り、結晶化にともなってディップが低波数側にシフトし、Q値が低下することが確認された。これにより、相状態の制御によって、共振器の共振波長を微調整できることが確認された。 図１２ GeSbTe結晶化前後におけるメッシュ構造共 赤外吸収分光への応用を想定し、SiCフォノン・ポラリトンを閉じ込める共振器の作製を実施した。フェムト秒パルス光によるレーザアブレーションにより、サブミクロン分解能のもと、容易に共振器ミラーを形成できることが明らかとなった。反射鏡材料として相変化材料であるGeSbTeを用いることにより、共振器長による共振波長だけでなく、相変化にともなう誘電率の変化を利用した共振波長の微調整が可能であることを実証した。 本研究は公益財団法人天田財団・一般研究開発助成による支援のもと実施しました。 また、GeSbTeのスパッタ成膜にあたり、国立研究開発法人産業技術総合研究所・桑原正史氏に多大なご協力をいただきました。ここに厚く感謝申し上げます。 振器の反射スペクトル − 327 −
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