0000 mµ /D位変mµ /D位変mµ /D位変図6 繰返し押付け試験後にDLC膜表面にできた圧mµ /D位変図7 損傷DLC膜の元素マッピング画像 図5 加振条件によるホーン先端の軸方向変位の変化 400600時間T/µs(a) 10 V 800400600時間T/µs(b) 20 V 800400600時間T/µs(c) 30 V 800400600時間T/µs (d) 40 V 800(a) 0V (b) －200V (a) 0V (b) －200V 電圧の増加とともに大きな振幅を得ることができた．しかしながら，30V 以上では振幅が大きくは変化しなかったため，30V で振動子を動作させることにした． 4.03.02.01.00.0-1.0-2.0-3.0-4.02004.03.02.01.00.0-1.0-2.0-3.0-4.02004.03.02.01.00.0-1.0-2.0-3.0-4.02004.03.02.01.00.0-1.0-2.0-3.0-4.02001000100010001000− 255 −3・3 繰返し押付け試験によるDLC膜の損傷 3・1，3・2節のようにして決めた条件で振動子を動作させてDLC膜形成試験片に対して繰返し押付け試験を行った．図6 (a), (b) に，繰返し押付け試験後にDLC膜表面にできた圧痕のSEM像を示す．押付け回数はそれぞれ約2.0 × 107，4.3 × 107，6.5 × 107 回としたが，ここでは代表として6.5 × 107 回のものを示す．一連の観察から，DLC膜の種類にかかわらず，押付け時間の経過とともに，DLC膜が損傷していることがわかった．また，損傷の形態が異なっているように見える．0Vで形成したDLC膜は全体に摩耗し皮膜が薄くなったように見えるのに対して，－200Vで形成したDLC膜は全体的に皮膜がはく離しているように見える．低電圧よりも高電圧でDLC膜を形成する方が高硬度の皮膜になることがこれまでの取り組みか痕のSEM像 200 μm200 μm
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