図6 引張試験後の領域Bの接合界面ミクロ組織，破断部 − 252 −より(a)25mm離れた位置，(b) 28mm離れた位置． よる結晶方位解析を行った．解析部位は領域Aである．図7にEBSDによる結晶方位マップ（IPFマップ），図8に同視野のKernel Average Misorientation（KAM）マップを示す．KAM値とは，結晶粒内において，ある位置（ピクセル）の周囲との方位差を表し，ひずみ量に対応する値である．IPFマップにおいては，接合界面近傍の母材は結晶粒が著しく微細化されていた．一方，IMC層では鮮明な菊池パターンが得られず，解析不可能であった．母材のIMC層により近い部位では，引張方向にやや伸長した結晶粒が認められた．その特徴は，IMC層と連続不連続な部位に係わらず確認され，特にSS400側で顕著であった．一方，KAM値に注目すると，き裂発生により生じた隙間部でやや値が大きい部位もあるが，顕著な傾向は認められなかった．以上の結果より，IMC層は母材と比べて早期に破断しているが，ある程度の変形は期待できることが示唆される．IMC層を直接的に方位解析できれば，詳細に考察できるが，前述のようにIMC層はEBSDによる方位解析が不可能であった．その要因を調査するために，IMC層をTEM観察したところ，図9のようにIMC層は数十nmの非常に微細な結晶粒で構成されていることがわかった．EBSDでは，菊池パターンの発生領域に起因して，この大きさの結晶粒の方位解析は困難であるため，より詳細な解析を進めるためには，TEMによる観察が必要と考えられる． 図7 接合界面付近のIPFマップ，太矢印はき裂発生により生じた隙間部分．
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