3.1 製造プロセス 図11に伸縮性トランジスタの構造を示す。伸縮性トランジスタとして用いるために全ての層が伸縮性を示す。本構造の作製プロセスを以下に記す。まず、本研究で開発した高解像度にパターニングできる伸縮性導電性高分子をTPU基板上に成膜・パターニングしたものをソース・ドレイン電極として用いた。その上に、クロロベンゼンに溶かした伸縮性半導体材料のDPP4T-oSi10(図12)をスピンコートした[11]。その上にゲート絶縁膜としてシリコーン(PDMS)をスピンコートした。最後にゲート電極として印刷できる液体金属材料の酸化ガリウムインジウム(OGaIn)をステンシル印刷形成した[12]。 ３．伸縮性トランジスタ 図9 伸縮性PEDOT:PSSの高解像度パターニング。 図10 微細化した伸縮性PEDOT:PSSの伸長性。 表1 パターナブル伸縮性導電性高分子の先行研究群との比較。 図11 伸縮性トランジスタの構造図。 図12 DPP4T-oSi10の化学構造図。 - 95 -
元のページ ../index.html#97