３．各実験結果と考察■■■■スパッタ発生状況の評価■■■■■実験結果各実験における条件表を表■に，またそれぞれの測定画像を図■■に示す．また造形条件の違いによるスパッタ粒子数の変化の結果を図■■に示す．スパッタ飛距離の結果について図■ に示す．■■■■ 考察図■■の測定画像から，レーザ走査速度が遅く，レーザパワーの低い条件ほど，スパッタの発生が少ない傾向が見られた．また図■■より，レーザ走査速度の増加に伴い，スパッタの数は減少している傾向にあった．また図■ の結果からは，レーザパワーの増加に伴い飛散の距離は遠くに飛散し，また走査速度の増加に伴いスパッタの飛散距離は近くなる傾向が見られた．■■■を用いた．ここで■■■■■■■■■■で全面，帯状とあるのは，図■に示すように，レーザ照射経路の違いを示している．表■造形ひずみ実験の各因子の水準と値図■レーザーパスの種類 ■■■■実験方法各ベースプレートには，ひずみゲージを取り付け，造形中のベースプレート下面に生じるひずみを計測した．また，レーザ照射中の造形面の温度を計測するために，放射温度計を装置内部に設置し，造形中の造形物の中心位置の温度変化を測定可能とした（図■）．ひずみ量の計測は，図■に示すように，各層の造形時に，ひずみ基準点から■■秒後からの■秒ごとに■点を取得する．造形物の高さが■㎜の時点でのひずみを評価に用いた．評価指標には，品質工学で用いられる望小特性のＳＮ比図■ひずみと温度の計測箇所図■モデル形状図■ひずみ量の計測時間表■実験条件表図■■測定画像ベースプレートスペーサータイプ■■ff全面■単位モデルタイプ■■ff帯状■ひずみゲージ（長手方向）ベースプレートスペーサーステージ基準点から■■秒後から■秒ごとに■点を取得■■■■■■■■■■全面■■■■■■■■■ ■■ ■■■■■φ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■水準１水準 帯状■■■■ ■ ■■■ ■■水準■■■■■■■■■■■■■■測定位置（直径■■■■■■■）■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■■■■■■■■■■■■■■■■■■ff■■ff■■ff■■■■■■■■ff■■ff■■ff■■- 74 -
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