５．まとめ謝辞参考文献使用したステッピングモーターステージの移動速度によって制限されている。集光径は約25µmとしている。ポリアセタールでは平均出2.2W加工速度0.125㎜/sにおいて切断が確認されたレーザー出力を下げて加工速度を増加させると加工痕は小さくなっていき平均出力0.9Ｗ、加工速度0.5mm/s時には約25µmサイズの加工痕が確認された。ポリプロピレンはポリアセタールに比べて加工閾値が低くなった。ポリアセタールと同様に平均出力、加工速度を増加させていくとより微細な加工痕が得られた。図■■■ポリアセタール加工痕この他に現在Ｓｉ半導体やＧｅ半導体の加工実験を行っている。Ｓi半導体では裏面側のステルス加工による加工痕の形成が確認されている(図14)。図■■■シリコン基板の裏面加工痕波長2µm帯ナノ秒/フェムト秒光パルスを用いたレーザー加工を行うため、高エネルギー発振器を開発した。フェムト秒領域では~100fs ～1nJ出力を達成し、現在これ種光源とした増幅器の開発を進めている。ナノ秒領域では発振器出力で100µJ 以上のパルスエネルギーとパルス幅～3nsを達成した。増幅器においてはパルスエネルギー670µJを達成しそれ用いたポリマー材料、Si半導体、Ge半導体の加工実験を行っている。また加工試料内の応力分布などを可視化するためホログラフィック顕微鏡による位相計測を進めている。本研究は公益財団法人天田財団の一般研究開発助成のご支援を受けて実施しました。ここに謝意を表します。1)S. Karsten, S. Lamrini, P. Koopmann, and P. Fuhrberg. InTechOpen. InTech, 01 Feb. 2010. Web.2)T. Ehrenreich et al.,SPIE Photonics West 2010 7580, Session 16:Late-Breaking News January, (2010)3)M. Tokurakawa, H. Sagara, and H. Tünnermann, Opt Express, 27 19530-19535 (2019)4)S. V. Chernikov, Y. Zhu, J. R. Taylor, and V. P. Gapontsev, Opt. Lett. 22, 298-300 (1997)- 92 -
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