■■■■,0■ ■■*■さ粗均平術算%、度濃量質、度濃量質3.実験結果及び考察使用した.研磨試験は 種類(未照射使用済み研磨剤,回収した蒸着物)のスラリーを使用した.■・■■■■■■レーザ垂直入射条件1の場合図5に照射時間別使用済み研磨剤の■■成分の比較を示す.図5より照射開始から■分後照射面の■■成分が減少する傾向が得られた.図6にテーブル移動方式による■■成分の質量濃度比較を示す.同図には中央値も記載した.固定照射においては,照射中心部とその周囲部(サイド部)の成分分析を行った.固定照射方式において,照射サイド部で使用済み研磨剤の■■成分の中央値が減少した.T検定の結果から固定照射サイド部において,照射前後の■■質量濃度には有意水準■■で有意差があることがわかった.■■■■■レーザ照射による■■成分除去の可能性が示唆された.なお,使用済み研磨剤の■■成分について,レーザ照射前後の質量濃度の有意差は得られなかった.図7に模擬的磨試験で使用した被研磨材料(ガラス球)の算術平均粗さ■■を示す.図7より,未使用研磨剤スラリーと比較し,使用済み研磨剤スラリー(照射前)の■■値が平均値で約■■■倍を示したことから,本方式による模擬的研磨試験において表面粗さの比較が可能であることがわかる.図7より未照射の使用済み酸化セリウム研磨剤をスラリーとして使用した場合と比較し,レーザ照射後の使用済み酸化セリウム研磨剤スラリーを用いた場合,■■値が平均値で ■%減少していることがわかる.図5照射時間別■■成分の比較図6テーブル移動方式によるSi成分の質量濃度■■ ■* p <0.05図7模擬的研磨試験によるガラス球の算術平均粗さ■■■・ ■■■■■レーザ垂直入射条件2の場合図8に電流値と照射面の■■成分の質量濃度を示す.■■■■■時に■■の質量濃度は減少することがわかる.図9に使用済み研磨剤の■■成分の照射前後の質量濃度を示す.図には,測定■■点の中央値も記載した.図9より,レーザ照射後の■■成分は照射前と比較し中央値で約■■%減少していることがわかる.図10に使用済み研磨剤の■■,■■成分の照射前後の質量濃度を示す.図10より■■■■■レーザ照射面の■■の質量濃度が中央値で約■%増加する傾向が得られ,■■については中央値で約■%減少する結果が得られた.また,■■■■■■■■■検定結果より,照射前後の■■質量濃度には有意水準■■で有意差があることがわかっ図8電流値と照射面の■■成分の質量濃度図9使用済み研磨剤の■■成分の照射前後の質量濃度 ■■■■■■■■■■■■未使用研磨剤使用済み研磨剤(照射前)0.9790.632照射前■■■ ■■■■■■■■■■■使用済み研磨剤(照射後)0.848照射後18001600140012001000800600400200■■■ ■■ ■■■■■■■■■■■■■■200mA300mAn=30392mA■■■■■■■■■■ ■■■■■■■■■■■■ - 107 -
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