■■■■■■■■■■■■■■■■■ ■ ・■■■■■■■レーザによるセリウム成分の回収試験■ff■■■照射後の研磨剤■ff■■■照射の様子■図３■照射中の様子と照射後の使用済み研磨剤 図４■模擬的研磨試験の様子 の距離を ■■■とした．また照射後のサンプルの成分分析を行った．成分分析には■■■■（電子線マイクロアナライザ）を使用した．使用済み■■■₂研磨剤に対し，照射時間とレーザ照射後の■■の質量濃度の変化を調査した．また，研磨試験用の照射済み■■■₂研磨剤を作成するにあたり，照射前後の■■成分の質量濃度を分析することで固定照射方式（一定時間研磨剤にレーザを照射後，照射部分を移動し，再度照射を繰り返す）か，移動照射方式（連続的に研磨剤を移動することにより，全面照射）かを検討した．その後，研磨試験用の照射済み研磨剤を作成した．具体的には，直径■■■■のガラスシャーレの縁から■■■■■上まで使用済みCeO₂研磨材を入れ，レーザを照射する．照射開始から■分経過した後，照射箇所を■■■移動させる．研磨材表面を全体的に図１ff■■の軌跡で全面を照射させたら，表面下■■■ｍｍの部分までを照射済みとする．シャーレに縁から上の■■■ｍｍの部分を取り除き，照射後の研磨剤とする．同様に照射を繰り返し，照射後の研磨剤が■■となるまで繰り返す．作成した使用済み研磨剤（照射後）と未使用研磨剤，未照射の使用済み研磨剤の■種類を用いて往復摺動方式模擬的研磨試験をそれぞれ■回行った．ガラス球（直径■■■）を使用し研磨パットに対し，研磨スラリーを滴下し，荷重を ■■ｇ，速度 ■■■■■，ストローク■■■■，摺動回数を■■■往復とした．研磨スラリーは，研磨材と純水＝■：■で作成した．図２に模擬的研磨試験の様子を示す． ■ ・ ■■■■■■レーザ垂直入射条件２ 本条件では ■■節同様，大気中垂直照射としコリメートレンズのみを使用した．乾燥させパウダー状になった使用済み研磨材を使用する．表２に照射試験条件を示す． ■■節同様に，波長■■■■■半導体レーザを使用し，電流値を ■■～■■ ｍ■としコリメートレンズと照射サンプル間の距離を■ ■■■とした．レーザ照射中の様子及び照射方法および照射後の研磨剤サンプルを図３に示す．照射の軌跡は図３ff■■のようにらせん状とし，■■■ｇの使用済み研磨剤に対し■■分照射後匙にて攪拌し，さらに照射を繰り返し合計■■分照射するまで繰返した．■次にレーザ照射後の使用済み研磨材に対し往復摺動方式模擬的研磨試験を行った．模擬的研磨試験は，ガラス球（直径■■■）を使用しステンレスディスク（■■×■■×■■㎜）に対し，研磨スラリーを滴下し，荷重を■■■■，速度■■■■■■，ストローク■■■■，摺動回数を■■■往復とした．研磨スラリーは，研磨材と純水＝■：■で作成した．図４に模擬的研磨試験の様子を示す．研磨試験は純水及び■種類（未使用■表２■照射試験条件■研磨材量■■■■■■波長■■■■■■■出力■ ■ ■ff■■■■■時■■電流値■ ■■，■■■，■■ ■■■照射時間■■■分■研磨剤，照射前後の使用済み研磨剤）のスラリーを使用し，それぞれ■回行った．なお，研磨試験前に■■■■を用いて，■■■■■レーザ照射前後の使用済み研磨剤の成分分析を行った．また，成分分析結果に対し■■■■■■■■検定を行った．■ ■使用済み研磨剤表面に与える熱の影響を増加させるために，■■■■■半導体レーザを出力 ■Ｗ（定格■■■■）で使用した．ガラス研磨用の使用済み酸化セリウム研磨剤は，前節同様に乾燥させたものを用いる．約■■ｇの乾燥させた廃研磨材をガラス容器に入れ，レーザの熱による表面改質を狙い，大気中において垂直入射で■■■■■レーザを使用済み研磨剤に照射した．照射中，終始研磨剤から蒸気が発生したため，研磨材上部に保護ガラスを設置し，保護ガラス下面にレーザ照射により発生する蒸気を堆積させた．レーザ出口■保護ガラス間の距離を■ｍｍ，保護ガラス■サンプル間の距離を■ｍｍとした．また照射時間を■■秒とし，保護ガラスに堆積させた蒸着物の成分分析を行った．成分分析には■■■■を使用し，■■■により照射前後の酸化セリウム研磨剤の表面観察を行った．■次に回収した蒸着物に対し模擬的研磨試験を行った．模擬的研磨試験は， ■ 節同様にガラス球（直径■■■）を使用しステンレスディスク（■■×■■×■■㎜）に対し，研磨スラリーを滴下し，荷重を■■■ｇ，速度■■■■■■，ストローク■■■■，すべり回数を■■■往復とした摺動試験を行った．研磨スラリー濃度は■％とした．一回の研磨試験で■■■程度ΦΦ66mmmmガガララスス球球デディィススクク圧圧子子ホホルルダダ研研磨磨液液往復- 106 -
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