■■ ■■ ３．実験結果および考察図 実験方法概略■■レーザ■■■■波長■■■■■■■発振形態■■■■出力■■■■■■■ビーム径■■■■■■■■焦点距離■■■■■■■■走査速度■■■■■■ホウケイ酸ガラスシリコン図■シリコン端面に導入した初期き裂とんどが吸収されることとなる．一方，半導体レーザが照射されると，シリコン内部で■■■程度が吸収され，■■ レーザが照射されると■■■程度が吸収されることとなる． ■■半導体レーザによる割断実験実験方法の概略を図 に，実験条件を表 に示す．積層ウエハは，シリコンの割断面がff■■■■■面となるように ■■× 10 mmの大きさで切り出し，■■■自動ステージ上に固定した銅板に対してホウケイ酸ガラスが上面となるように設置した．このとき，シリコングリスを試料裏面に塗布し，積層ウエハと銅板を密着させた．初期き裂は，図■に示すように積層ウエハ断面のシリコン中央位置にビッカース圧子を押し込んで導入した．そして，試料中央位置を短手方向に分断するように割断を行った．また，き裂進展時に発生する弾性波を観測するため，ガラス表面に■■センサを貼付した．そして，半導体レーザの長軸方向と走査方向を一致させながら，導入した初期き表 実験条件半導体■■■■■■■ ■■■■■■■■■■■×■■■■■■×■■■■■ ■ ■初期き裂■■ ■■■■■ 裂の上面を通るようにレーザを走査した．加えて，積層ウエハの割断時に生じる■■波と比較するため，厚さが■■■■■■であるホウケイ酸ガラス単層に対して垂直方向に■■ レーザを照射し，割断時に得られる■■センサからの出力を調べた．レーザ照射後，積層ウエハの割断面および表面を光学顕微鏡で観察した．また，割断時に発生した■■センサの出力から割断中のき裂先端の位置とレーザ照射位置との関係を求め，積層ウエハの割断メカニズムを調べた． ■■■■ レーザの併用による割断品質の改善積層ウエハ終端部のき裂進展を改善するため，■■ レーザを併用しながらレーザ照射を行い，き裂進展に必要な入熱を補うことで割断品質の改善を試みた．図■に，レーザ照射部の詳細を示す．■■ レーザは，半導体レーザの長軸方向に対して■■度の角度で照射した．試料表面でのスポット径は1.1×1.5 mmである．各レーザの中心をそろえた位置を原点とし，レーザ走査方向に対する各レーザの中心位置のずれ量を■と定義した．そして，半導体レーザと■■ レーザの中心位置のずれ量を変えながら実験を行い，■■ レーザ照射の有無による割断品質を比較した．■■■ホウケイ酸ガラス単層割断時の■■出力波形図■は，ホウケイ酸ガラス単層を割断したときに得られた■■出力波形である．図中の点線は，ホウケイ酸ガラスの始端および終端を表している．■■波は，始端部近傍で初期き裂からき裂が進展する時，大きなエネルギ解放にともなって出力されたが，き裂が連続的に進展する試料中央部では出力が小さく測定されなかった．一方，■■波はガラスの終端部近傍にも確認された．レーザを用いた割断ではレーザ照射位置が先行し，これに追従するようにき裂が進展する．そのため，終端部近傍ではき裂進展に必要な応積層ウエハ半導体レーザレーザ走査方向図■マルチレーザによる割断実験方法ホウケイ酸ガラスレーザ出力■■ ■■走査速度■■ ■■■■■■■波始端レーザ走査方向図■ガラス単層割断時の■■出力波形■■ レーザ終端 ■■■- 95 -
元のページ ../index.html#97