FORM TECH REVIEWvol28

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謝■辞■示すと同時にフルエンス依存性が異なる。従ってFth,M = 0.195 J/cm2と Fth,H = 0.47 J/cm2を異なる機構に基づくイオン放出閾値と考えた。■•■放出イオン量Niは、Fth,L近傍においてNi  F4■、Fth,M近傍においてNi  F3、Fth,H近傍においてNi  F2■の直線に一致することが見出された。■レーザーが高強度（多光子吸収が高確率で起こる）、強いレーザー電場（ポテンシャルが歪む）によって生じたトンネル効果により電子を放出し、イオン化していると考えるとイオン量の依存性をうまく説明できることが分かった。■■•■ピークエネルギーはレーザーフルエンスが■136mJ/cm2■のとき■30eV■となり、低フルエンスでも高エネルギーイオンが放出されることを初めて確認した。■■•■放出イオンの放出過程は、シース加速によるものではなくクーロン爆発によるものであると推察される。■■•■銅イオンのピークエネルギーからクーロン爆発モデルを仮定し、局在化したイオンのサイズを見積もった。局在イオンのサイズのレーザーフルエンス依存性は、ナノ周期構造間隔のレーザーフルエンス依存性と定性的な一致を示した。 本研究は、公益財団法人天田財団からの一般研究助成により実施した研究に基づいていることを付記するとともに、同財団に感謝いたします． 参考文献 [1] J. Reif, F. Costache,M. Henyk, S. V. Pandelov, Appl. Surf. Sci. 197-198(2002) 891. [2]■橋田昌樹、藤田雅之、節原裕一、光学■31,8 (2002) 621-628.■[3]■橋田昌樹、長嶋謙吾、藤田■雅之、塚本■雅裕、甲藤正人、井澤■靖和■■9th Symposium on “Microjoining and Electronics”,Vol.9 Assembly (2003)517-522. [4] M. Hashida, M. Fujita, Y. Izawa, A. F. Semerok, Proc. SPIE Vol.4830 (2003)452-457. [5] N. Yasumaru, K. Miyazaki, J. Kiuchi, and H. Magara, Proc. SPIE Vol.4830 (2003)521-525. [6] M. Hashida, A. Semerok, O. Govert, G. Petite, Y. Izawa, and J. F-. Wagner, Appl. Surf. Sci. 197-198, pp.862-867 (2002). [7] S. Sakabe, M. Hashida, S. Tokita, S. Namba, K. Okamuro, Phys. Rev. B 79(2009)033409. [8] S. Tokita, M. Hashida,S. Masuno, S. Namba, S. Sakabe, Opt. Express 16(2008)14876. [9] T. A. Carlson, C. W. Nestor Jr., N. Wasserman, and J. D. McDowell, Atomic Data 2(1970)63. [10] L. V. Keldysh, Sov. Phys. JETP 20(1965)1307. [11] W.P.Dyke and W. W. Dolan: Field Emission, Linfield Colledge Mc Cminn Ville, Oregon, 1956)p.90. [12] S. Sakabe, K. Shirai, M. Hashida, S. Shimizu, S. Masuno, Phys. Rev. A 71(2006)043205. [13] M. Hashida, S. Namba, K. Okamuro, S. Tokita, S. Sakabe, Phys. Rev. B 81(2010)115442. Technology in - 79 -