1）R. M. Lumley: Controlled Separation of Brittle Materials Using a Laser, The American Ceramic Society Bulletin, 48-9 (1969) 850. 2）黒部利次・川向徳康・高尾利幸：YAGレーザによるガff■■■積層ウエハ割断時の■■波は，き裂進展時のエネルギ解放に起因してシリコン内部でき裂が進展する時に出力される．■ff ■■半導体レーザを用いた積層ウエハの割断は，レーザ照射による直接的なシリコンの加熱と，シリコンの加熱に伴うガラスへの熱伝導により，各試料に対して同時にき裂を進展させることが可能である．■ff■■■割断初期では，シリコンとホウケイ酸ガラスのレーザ吸収特性および熱物性の違いにより，シリコン内部のみでき裂が進展する領域が存在する．しかしながら，レーザ照射による十分な入熱が行われるとホウケイ酸ガラス内部にもき裂を進展させることができる．■ff■■■積層ウエハ内部のき裂進展は，き裂先端に生じる応力と臨界応力値に到達するための入熱時間が密接に関連し，これらにしたがってき裂間隔が増減を繰り返しながら進展する．■■ff■■■■■ レーザを併用しながら割断することで，半導体レーザ単体では不足していた試料終端部近傍の入熱量を増加させることができ，半導体レーザ単体と比較して割断距離を伸ばすことが可能である．■本研究は，公益社団法人天田財団からの一般研究開発助成(AF-2013212)を受けて実施したことを付記すると共に，記して深甚なる謝意を表す． 3) 黒部利次，市川和浩，永井久司：YAGレーザによるシ4) 今井康文・森田英毅・高瀬徹・古賀博之：ぜい性材料の熱応力による割断加工の可能性，日本機械学会論文集(A編), 55-509 (1989) 147. 5) 日本工業規格，JIS R 3802(1995) 2. 6) S. M. Sze and Kwok K. Ng: Physics of Semiconductor Devices, Third Edition, John Wiley & Sons, Inc., New Jersey, (2007) 790. 7) 山田啓司・西岡真吾・細川晃・上田隆司：パルスYAGレーザによる脆性材料の割断加工，精密工学会誌 69-1 (2003) 120. 8) 沢田博司・今井康文・才本明秀・山本良之:線熱源による割断におけるき裂進展挙動，精密工学会誌 66-7 (2000) 1135. 謝■辞 ラスの精密切断，材料, 42-479 (1993) 1004. リコンウエハの割断，材料, 44-497 (1995) 159. 参考文献 - 98 -
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